MOS-Schaltkreisfamilie
Verknüpfungsglieder der MOS-Unterfamilien sind mit MOS-Feldeffekt-Transistoren aufgebaut.
Diese Art von Transistor benötigt fast keine Steuerleistung, haben eine sehr kleine Bauform und sind einfach herzustellen. Die Kapazitäten des MOS-FETs sind jedoch für lange Schaltzeiten verantwortlich. Und sie sind empfindlich gegen statische Aufladungen, die zur Zerstörung der Bauteile führen kann. Deshalb sind bei der Verarbeitung von MOS-Schaltungen besondere Sicherheitsmaßnahmen erforderlich.
PMOS
In den Verknüpfungsgliedern der PMOS-Unterfamilie werden selbstsperrende p-Kanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren verwendet. Widerstände werden durch Feldeffekt-Transistoren mit besonderen Eigenschaften ersetzt.
PMOS-Glieder arbeiten langsam aber Störsicher und benötigen eine große negative Betriebsspannung (-9..-20 V).
NMOS
In den Verknüpfungsgliedern der NMOS-Unterfamilie werden selbstsperrende n-Kanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren verwendet. Eine andere Halbleitertechnologie ermöglicht eine Signallaufzeit wie bei Standard-TTL-Gliedern (10 ns). Durch eine Betriebsspannung von 5 V sind die NMOS-Glieder zu TTL-Gliedern kompatibel.
CMOS
Die übliche Bezeichnung CMOS ist die Abkürzung von Complementary
Symmetry-Metal Oxide Semiconductor. Die deutsche Übersetzung dazu lautet
Komplementär-symmetrischer Metall-Oxid-Halbleiter.
In den Schaltgliedern dieser MOS-Unterfamilie werden nur selbstsperrende MOS-FETs verwendet.
Der Leistungsbedarf der CMOS-Glieder ist extrem niedrig (bis 10 nW) und hängt hauptsächlich von der Umschalthäufigkeit (max. 50 MHz) ab.
Wegen der festlegbaren Betriebsspannung von +3 V bis +15 V und ihrer großen Integrationsdichte haben die CMOS-Glieder ein großes Anwendungsgebiet erobert.
Vergleich: MOS-Schaltkreisfamilie
Unterfamilie | PMOS | NMOS | CMOS |
Betriebsspannung | -9 bis -12V | +5V | +3 bis +15V |
Leistung je Glied bei L-Pegel | 6 mW | 2 mW | 5 bis 10 mW |
Leistung je Glied bei H-Pegel | 0 mW | 0 mW | |
Signallaufzeit/Schaltzeit | 40 ns | 5 ns | 8 ns |
Größte Schaltfrequenz | 10 MHz | 80 MHz | 50 MHz |
Störspannungsabstand | 5V | ~2V | 2V |
Sicherheitsmaßnahmen im Umgang mit CMOS-ICs
- Verarbeitungsraum mit elektrisch leitfähigem Fußbodenbelag
- Arbeitstisch mit leitfähigem und geerdetem Belag
- Arbeitskleidung aus Kunststoff vermeiden
- Manschette am Handgelenk, die über eine flexible Leitung geerdet ist
- MOS-Bausteine nicht verlöten, sondern über Sockel in die Schaltung einbauen
CMOS in der Praxis
Die Spannungsbereiche für die Ein- und Ausgangspegel bei CMOS-ICs sind von der Höhe der Betriebsspannung abhängig. Die ICs werden meist mit 5 V oder mit 10 V bzw. 12 V betrieben.
Werden in einer Schaltung gleichzeitig CMOS- und TTL-ICs eingesetzt, wird eine Betriebsspannung von 5 V benötigt. Sind in einer Schaltung aber nur CMOS-ICs, wird meist eine Betriebsspannung von 10 V gewählt. CMOS-ICs weisen vor allem wegen des hohen Störabstandes eine größere Betriebssicherheit auf.
Wichtige schaltungstechnische Maßnahmen:
- Bei CMOS-ICs müssen alle Eingänge, auch die von nicht benutzten Gattern, beschaltet werden.
- Die Eingänge müssen eindeutig mit H- oder L-Pegel beschaltet werden.
Die Kenndaten der Schaltkreisfamilien LS-TTL und CMOS im Vergleich
Kenndaten | LS-TTL | CMOS | |
Betriebsspannung | 5 V | 3 V bis 15 V | |
5 V | 10 V | ||
minimale H-Eingangsspannung | 2,0 V | 3,5 V | 7,0 V |
maximale L-Eingangsspannung | 0,7 V | 1,5 V | 3,0 V |
minimale H-Ausgangsspannung | 2,4 V | 4,95 V | 9,95 V |
maximale L-Ausgangsspannung | 0,4 V | 0,05 V | 0,05 V |
statischer Störabstand (minimal) | 0,4 V | 1,45 V | 2,95 V |