Schottky-Diode (Hot-Carrier-Diode)
Die Schottky-Diode besteht aus einer Metall-Schicht und einer n-leitenden Silizium-Schicht. Die Elektronen der n-Schicht wandern zur Metallschicht. Weil Elektronen leichter aus n-Silizium in die Metallschicht gelangen als umgekehrt, entsteht in der Silizium-Schicht ein an Elektronen verarmter Bereich, die sogenannte Schottky-Sperrschicht. Durch die Ladungsträgerdiffusion entsteht eine Raumladungszone (Sperrschicht) und ein elektrisches Feld. Ab einem bestimmten Zustand ist das elektrische Feld so groß, dass keine Elektronen mehr wandern.
Schaltet man die Schottky-Diode in Sperrrichtung - Plus an n-Silizium und Minus an die Metallschicht - dann wird die Raumladungszone größer. Sie nimmt einen großen Bereich des n-Siliziums ein. Schaltet man die Schottky-Diode in Durchlassrichtung, wird die Raumladungszone freigeräumt. Die Elektronen fließen von der n-Schicht in die Metallschicht.
Das Schalten vom Durchlasszustand in den Sperrzustand bzw. umgekehrt erfolgt sehr schnell. Es müssen keine Minderheitsladungsträger ausgeräumt werden. Der Strom durch die Schottky-Diode besteht daher nur aus Elektronen.
Die Schottky-Diode ist nach dem deutschen Physiker Walter Schottky benannt, der 1938 das Modell des Metall-Halbleiter-Kontaktes entwickelte.
Eigenschaften
- schnelles Schalten
- geringe Durchlassspannung
- hohe Strombelastbarkeit
Anwendungen
- Schaltdiode
- Mikrowellentechnik
- Mikrowellengleichrichter
- Mikrowellenmodulation
- Mikrowellenmischstufen
Schaltzeichen
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| offizielles Schaltzeichen | nicht genormtes Schaltzeichen |