Z-Dioden (Zener-Diode)

Die Z-Diode ist eine Silizium-Halbleiterdiode, die in Sperrrichtung betrieben wird. In Sperrrichtung tritt bei einer Silizium-Diode der Zener-Effekt auf, bei dem ab einer bestimmten Spannung der Strom schlagartig zunimmt. In Durchlassrichtung arbeitet die Z-Diode wie ein normale Diode.
Der Zener-Effekt tritt nur unter 5 V auf. Alle Dioden darüber werden als Lawinendioden oder Avalanche-Dioden bezeichnet. In der Regel verwendet man für alle Dioden mit Zener- bzw. Lawineneffekt die Bezeichnung Z-Diode. Der Name stammt vom Zener-Effekt, den ein Mann mit dem Namen Zener entdeckt hat.
Typischerweise werden Z-Dioden zur Stabilisierung von pulsierenden Gleichspannungen oder zum Einstellen von Bezugsspannungen verwendet.

Zener-Effekt und Lawineneffekt

Kennlinie der Z-Diode
Der Zener-Effekt wird durch das elektrische Feld ausgelöst, dass ab einer bestimmten Größe zur Herauslösung der Elektronen aus ihren Kristallbindungen führt. Die Elektronen führen zur Bildung des Stromes I_z. Ab einem bestimmten Spannungswert U_Z0, der Zener-Spannung, wird die Z-Diode niederohmig. Ab der Zener-Spannung nimmt der Strom I_z schlagartig zu.
Die Ladungsträger, die durch den Zener-Effekt frei wurden, werden durch das elektrische Feld sehr stark beschleunigt. Das führt dazu, dass weitere Elektronen aus ihren Kristallbindungen herausgestoßen werden. Die Sperrschicht der Diode wird mit freien Ladungsträgern überschwemmt. Das nennt man Lawineneffekt (Stossionisation).
Bei der Z-Diode überlagert sich der Zener-Effekt und der Lawineneffekt. Dieser Zustand wird als Zenerdurchbruch bezeichnet. Die plötzliche Leitfähigkeit führt zu einem sehr hohen Strom in Sperrrichtung. Ist der Strom zu groß, wird die Z-Diode zerstört. Deshalb ist im Datenblatt einer Z-Diode immer ein maximal zulässiger Sperrstrom I_Zmax angegeben, der nicht überschritten werden darf. Genauso wichtig ist die maximal zulässige Verlustleistung P_tot. Beide Grenzwerte dürfen nicht überschritten werden und sollten bei der Dimensionierung einer Schaltungen mit Z-Diode bekannt sein und berücksichtigt werden.
Fällt die Sperrspannung unter U_Z0, dann wird die Sperrschicht sofort wieder hergestellt. Der Bereich zwischen I_Zmin und I_Zmax wird Arbeitsbereich oder Durchbruchbereich genannt.
Die Zener-Spannung kann bei der Herstellung der Z-Diode durch die Dotierung des Silizium-Kristalls im Bereich 2 bis 600V eingestellt werden.

Temperaturabhängigkeit der Z-Diode

Die Temperaturabhängigkeit der Z-Diode ist vor allem in der Mess- und Regeltechnik ein Nachteil. Bei Anwendungen, wo eine exakte Spannung benötigt wird, macht sich das negativ bemerkbar. Deshalb schaltet man Z-Dioden gerne mit positivem und negativem Temperaturkoeffizienten TK in Reihe. Im Optimalfall heben sie sich auf oder es bleibt nur ein kleiner Rest übrig. Der Temperaturkoeffizient TK gibt die Temperaturabhängigkeit an.
Manchmal nimmt man zur Temperaturstabilisierung auch normale Silizium-Dioden. In speziellen temperaturkompensierten Z-Dioden hat der Hersteller bereits diese Zusammenschaltung vorgenommen.

Schaltzeichen

Bezeichnung von Z-Dioden

Bezeichnung	Alternativen	P_tot	Gehäuse
ZPD...	BZX83... / BZY88... / BZX55... / ZX71... / BZX79...	500 mW	DO35
ZPY...	BZX 29... / BZX 85... / BZY 92.. / BZY 95... / BZY 96... / BZX 97... / ZD...	1,3 W	DO41

Anwendungen

Z-Dioden eignen sich am besten zur Spannungsstabilisierung in Schaltungen mit kleinem Stromverbrauch. Aber auch die Spannungsbegrenzung von Spannungsspitzen ist eine Möglichkeit.
Mit geeigneter Zenerspannung eignen sie sich als Sollwertgeber in der Mess- und Regeltechnik. Oder wo Bezugsspannungen benötigt werden.